主要特征: 低功耗:3VDC时电流小于500μA 小尺寸:6.3×2.3×2.2mm 大的磁场测量范围:±1100μT(±11Gauss) 高分辨率:0.015μT (0.00015Gauss) 很少的外围元件:11096ASIC和每个传感器两个电阻 参数: 线圈电压 :2.0V 线圈击穿电压:200 V 最大承受电流:50A 工作温度:-55 ℃ ~140℃