主要特征:
低功耗:3VDC时电流小于500μA
小尺寸:6.3×2.3×2.2mm
大的磁场测量范围:±1100μT(±11Gauss)
高分辨率:0.015μT (0.00015Gauss)
很少的外围元件:11096ASIC和每个传感器两个电阻
参数:
线圈电压 :2.0V
线圈击穿电压:200 V
最大承受电流:50A
工作温度:-55 ℃ ~140℃
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